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厂商型号

P2N2907AG 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 600mA 60V PNP

内部编号

277-P2N2907AG

生产厂商

ON Semiconductor

ONSEMI

#1

数量:23330
5000+¥0.791
10000+¥0.689
最小起订量:10000
马来西亚吉隆坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

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5000+¥0.791
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P2N2907AG产品详细规格

规格书 P2N2907AG datasheet 规格书
P2N2907A
文档 Multiple Devices 01/Oct/2008
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Product Discontinuation 01/Oct/2008
标准包装 5,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 600mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1.6V @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) 10nA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 150mA, 10V
功率 - 最大 625mW
频率转换 200MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Bulk
集电极最大直流电流 0.6
最小直流电流增益 75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA...
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 625
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 200(Min)
封装 Bulk
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 60
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 60
类型 PNP
引脚数 3
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 600mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 200MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1.6V @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) 10nA
标准包装 5,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 150mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 0.6 A
集电极 - 基极电压 60 V
集电极 - 发射极电压 60 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率(最大) 200 MHz
功率耗散 0.625 W
安装 Through Hole
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-92
元件数 1
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 PNP
频率 200 MHz
集电极电流(DC ) 0.6 A
直流电流增益 75

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    0512-67687578
    0512-67683728
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